开关电源同步整流芯片工作原理

随着开关电源技术的不断发展，低电压大电流降低功耗已成为电源工程师的难题，开关电源的损耗主要由功率开关管损耗、高频变压器损耗、输出端整流管损耗三部分组成，开关电源同步整流芯片有利于降低电路的整体功率消耗，以满足六级能效的需求。

开关电源同步整流芯片工作原理：同步整流是采用通态电阻较低的**功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术，它能有效提高变换器的转换效率，并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压，并可利用其二次侧的优势改善电源指标。
 

同步整流从拓扑架构角度可分为High side和Low side两大类，但从控制策略角度来看，同步整流可分为DCM模式和CCM模式，而CCM模式又以预测关断和快速关断为主导，那么他们之间又有什么优缺点呢。

同步整流DCM模式

优点：算法简单可靠，外围精简。

缺点：控制算法与MOSFET通态电阻相关；SR须与原边芯片配合，仅能工作在不连续导电模式。

CCM模式--预测关断

由SR开关波形扑捉Vg/n、Vo、T1信息，根据负秒平衡原理，估算SR关断点：

优点：控制算法与MOSFET通态电阻无关，应用灵活；SR深度导通，转换效率高。

缺点：需采用电阻及积分电容提取相关信息，外围复杂、误差大；伏秒不平衡工况下(模式切换)有技术风险。

CCM模式--快速关断

优点：算法简单可靠，外围精简。

缺点：控制算法与MOSFET通态电阻相关；SR在t1~t2区间非深度导通，转换效率有所降低。

通过以上几种模式我们看出，同步整流控制器无论是那种模式都是具有算法简单可靠，外围精简等优点，下面推荐一款开关电源同步整流芯片PN8308H。

PN8308大功率同步整流芯片内置10mΩ 80V Trench MOSFET，控制器实时跟踪功率MOSFET电流，进一步加快关断速度，以提高电流输出能力，提升转换效率，PN8308H开关电源同步整流芯片集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、较小导通时间等功能，适用于CCM，DCM和QR工作模式，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，广泛应用于9V/12V输出适配器。